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三星HBM芯片因發熱問題而沒能通過英偉達的測試

5月23日,據知情人士透露,因為發熱和功耗問題,三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片尚未通過英偉達的測試,故無法用于其人工智能處理器,問題主要涉及三星電子的HBM和HBM3E產品。三星電子指出,HBM是一種定制內存產品,須根據客戶需求進行優化。

編輯/徐磊
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